Samsung 2 纳米芯片技術未達Qualcomm要求 合作進展困難 | Techritual 香港

Samsung電子在 2 纳米芯片製造技術上面臨挑戰，與Qualcomm公司的合作關係前景不明朗。據外媒報道，Samsung的製造技術未能達到Qualcomm要求的水準，導致兩家公司合作進展受阻。Qualcomm預計將繼續依賴台積電作為主要製造夥伴，其下一代移動平台 Snapdragon 8 Elite Gen 6 系列將採用台積電的 2 纳米工藝製造。這意味著今年與Samsung的製造合約很可能再度擱置。Qualcomm原本希望確保多個製造供應商的雙重策略，但目前局面仍將依賴台積電。

良率差距成主要障礙

Samsung電子 2 纳米 GAA 工藝的良率約為 60%，未能達到Qualcomm要求的約 70%。良率是影響製造效率和成本的關鍵指標，此差距被視為阻礙合作的首要因素。以下為相關規格比較：

另一方面，台積電的最先進工藝以穩定供應見長，但成本較高。此前有傳聞指Qualcomm和聯發科考慮轉向Samsung製造，不過由於下一代芯片設計和試製已推進，短期內更換供應商難度極大。儘管如此，Samsung的 2 纳米技術仍有改善空間。公司計劃年内推出第二代 2 纳米工藝，並應用於自家芯片。若良率順利提升，未來與Qualcomm的合作或許能重啟。在半導體市場競爭環境下，這種關係仍有接近的可能性。

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