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Samsung 2 纳米芯片技術未達Qualcomm要求 合作進展困難 | Techritual 香港

Samsung電子在 2 纳米芯片製造技術上面臨挑戰,與Qualcomm公司的合作關係前景不明朗。據外媒報道,Samsung的製造技術未能達到Qualcomm要求的水準,導致兩家公司合作進展受阻。Qualcomm預計將繼續依賴台積電作為主要製造夥伴,其下一代移動平台 Snapdragon 8 Elite Gen 6 系列將採用台積電的 2 纳米工藝製造。這意味著今年與Samsung的製造合約很可能再度擱置。Qualcomm原本希望確保多個製造供應商的雙重策略,但目前局面仍將依賴台積電。良率差距成主要障礙Samsung電子 2 纳米 GAA 工藝的良率約為 60%,未能達到Qualcomm要求的約 70%。良率是影響製造效率和成本的關鍵指標,此差距被視為阻礙合作的首要因素。以下為相關規格比較:供應商工藝良率Samsung電子2 纳米 GAA約 60%Qualcomm要求–約 70%另一方面,台積電的最先進工藝以穩定供應見長,但成本較高。此前有傳聞指Qualcomm和聯發科考慮轉向Samsung製造,不過由於下一代芯片設計和試製已推進,短期內更換供應商難度極大。儘管如此,Samsung的 2 纳米技術仍有改善空間。公司計劃年内推出第二代 2...

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